Estudo teórico das propriedades opto-eletrônicas de junções p-i-n injetoras de spin - Carlos Eduardo de Almeida Brito (Universidade Federal do Amazonas, 2016)
O objetivo deste trabalho é desenvolver estruturas semicondutoras injetoras de correntes spin-polarizadas. Para atingir este objetivo iremos explorar as propriedades de Afinidade Eletrônica Negativa (AEN) na interface Metal-GaAs de forma a realçar a interface ferromagnética-semicondutor (junção Schottky) aumentando o grau de polarização de spin. O grau de polarização de spin é identificado pela emissão circularmente polarizada da junção p-i-n . Inicialmente será analisada uma amostra constituída de GaAs (100) dopada com Carbono contendo um poço quântico de GaAs de 100Å crescida por MBE (Epitaxia de Feixe Molecular). Este primeiro diodo receberá um contato não-magnético tradicional de In e InZn, na qual serão realizadas medidas das propriedades elétricas e opto-eletrônicas desta estrutura. Um algoritmo computacional será desenvolvido para compararmos os resultados teóricos dos experimentais.