Investigação das propriedades estruturais e eletrônicas do sílicio bulk utilizando métodos de primeiros princípios

Barbosa, Rafael Rodrigues

Monografia

Investigação das propriedades estruturais e eletrônicas do sílicio bulk utilizando métodos de primeiros princípios

There is a substantial interest in the investigation of Si bulk because it is traditionally used in the construction of the most integrated circuits used in consumer electronics and plays an important role in the modern industry. Therefore, Si bulk is one of the most investigated systems either e...

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Autor principal:	Barbosa, Rafael Rodrigues
Grau:	Monografia
Idioma:	pt_BR
Publicado em:	Universidade Federal do Tocantins 2021
Assuntos:	Física da Matéria Condensada. Simulação Computacional de Materiais utilizando métodos Ab-initio. Teoria do Funcional da Densidade (DFT). Sistemas cristalinos. Si bulk. CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA::FISICA GERAL
Acesso em linha:	http://hdl.handle.net/11612/3095

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spelling	ir-11612-30952021-09-18T06:00:50Z Investigação das propriedades estruturais e eletrônicas do sílicio bulk utilizando métodos de primeiros princípios Barbosa, Rafael Rodrigues Sousa, Regina Lélis de Física da Matéria Condensada. Simulação Computacional de Materiais utilizando métodos Ab-initio. Teoria do Funcional da Densidade (DFT). Sistemas cristalinos. Si bulk. CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA::FISICA GERAL There is a substantial interest in the investigation of Si bulk because it is traditionally used in the construction of the most integrated circuits used in consumer electronics and plays an important role in the modern industry. Therefore, Si bulk is one of the most investigated systems either experimental or theoretical point of view. The prime purpose of this work is to offer a introduction to the area of ab initio simulation of materials properties and to do that, we present a theoretical investigation of the structural and electronic properties of Si bulk. Our methodology is based on Density Functional Theory (DFT) as implementend in the open source code Quantum Espresso (or PWSCF). Most of the discussion in this work focuses on influence of exchange correlation approximation on the properties obtained for this semiconductor. All results obtained achieves good agreement with experimental data and corroborate the ability to describe, at the atomistic scale, the quantum mechanical behavior of materials. O cristal de silício, objeto de investigação deste trabalho, um semicondutor tradicional, é a base da indústria de componentes elétricos e eletrônicos atuais. Sem dúvida é um dos materiais com maior impacto tecnológico e econômico para a eco- nomia mundial. Por isso, talvez seja um dos sistemas cristalinos mais investigados do ponto de vista teórico ou experimental. Neste trabalho, que tem por principal objetivo uma introdução à area de estudo de propriedades de materiais utilizando método de primeiros princípios, investigamos as propriedades estruturais de ele- trônicas do cristal de Si. A metodologia empregada para a solução do problema de muitos corpos foi a Teoria do Funcional da Densidade (DFT), um método ab initio para solução da equação de Schrodinger. Todos os resultados foram obtidos com o pacote computacional de domínio público denominado Quantum Espresso ou PWSCF. Discutimos sobre as consequências das diferentes aproximações, que são fundamentais para a solução do problema de muitos corpos nos resultados obti- dos. Especificamente, focamos nas consequências das diferentes aproximações para o termo de troca e correlação do funcional da densidade, sem dúvida uma das áreas de maior atividade de pesquisa atualmente. Nossos resultados para as propriedades estruturais e eletrônicas do Si estão em bom acordo com os dados experimentais e corroboram com a importância da área de simulação de materiais. 2021-09-17T20:51:47Z 2021-09-17T20:51:47Z 2021-09-17 Monografia BARBOSA,Rafael Rodrigues. Investigação das propriedades estruturais e eletrônicas do sílicio bulk utilizando métodos de primeiros princípios.77f. Monografia (Graduação) - Física Universidade Federal do Tocantins, Araguaína, 2013. http://hdl.handle.net/11612/3095 pt_BR Acesso livre. application/pdf Universidade Federal do Tocantins Araguaína CURSO::ARAGUAÍNA::PRESENCIAL::LICENCIATURA::FÍSICA Araguaína Graduação
institution	Repositório Institucional - Universidade Federal do Tocantins - UFT
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description	There is a substantial interest in the investigation of Si bulk because it is traditionally used in the construction of the most integrated circuits used in consumer electronics and plays an important role in the modern industry. Therefore, Si bulk is one of the most investigated systems either experimental or theoretical point of view. The prime purpose of this work is to offer a introduction to the area of ab initio simulation of materials properties and to do that, we present a theoretical investigation of the structural and electronic properties of Si bulk. Our methodology is based on Density Functional Theory (DFT) as implementend in the open source code Quantum Espresso (or PWSCF). Most of the discussion in this work focuses on influence of exchange correlation approximation on the properties obtained for this semiconductor. All results obtained achieves good agreement with experimental data and corroborate the ability to describe, at the atomistic scale, the quantum mechanical behavior of materials.
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publisher	Universidade Federal do Tocantins
publishDate	2021
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_version_	1787134897286021120
score	11.680425

Investigação das propriedades estruturais e eletrônicas do sílicio bulk utilizando métodos de primeiros princípios

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