Propriedades opto-eletrônicas de junções p-i-n injetoras de spin
O objetivo deste trabalho é desenvolver estruturas semicondutoras injetoras de correntes spin-polarizadas. Para atingir este objetivo iremos explorar as propriedades de Afinidade Eletrônica Negativa (AEN) na interface Cs-GaAs de forma a realçar a interface ferromagnética-semicondutor (junção Schottk...
| Autor principal: | Carlos Eduardo de Almeida Brito |
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| Grau: | Relatório de Pesquisa |
| Idioma: | pt_BR |
| Publicado em: |
Universidade Federal do Amazonas
2016
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| Assuntos: | |
| Acesso em linha: |
http://riu.ufam.edu.br/handle/prefix/1772 |
| Resumo: |
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O objetivo deste trabalho é desenvolver estruturas semicondutoras injetoras de correntes spin-polarizadas. Para atingir este objetivo iremos explorar as propriedades de Afinidade Eletrônica Negativa (AEN) na interface Cs-GaAs de forma a realçar a interface ferromagnética-semicondutor (junção Schottky) aumentando o grau de polarização de spin. O grau de polarização de spin é identificado pela emissão circularmente polarizada da junção p-i-n .
Inicialmente será analisada uma amostra constituída de GaAs (311) dopada com Si contendo um poço quântico de GaAs de 100Å crescida por MBE (Epitaxia de Feixe Molecular). Este primeiro diodo receberá um contato não-magnético tradicional de In e InZn, na qual serão realizadas medidas das propriedades elétricas e opto-eletrônicas desta estrutura. |