Dinâmica de spins polarizados em heteroestruturas semicondutores
Estudamos as propriedades dinâmicas de elétrons em heteroestruturas semicondutoras: barreira e poços quânticos submetidos a campos elétricos DC usando o Hamiltoniano de Rashba e Dresselhaus na aproximação de massa efetiva do modelo k · p. O método utilizado para calcular a estrutura eletrônica em po...
| Autor principal: | Nunes, Edvam de Oliveira |
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| Grau: | Dissertação |
| Idioma: | por |
| Publicado em: |
Universidade Federal do Amazonas
2015
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| Assuntos: | |
| Acesso em linha: |
http://tede.ufam.edu.br/handle/tede/3456 |
| Resumo: |
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Estudamos as propriedades dinâmicas de elétrons em heteroestruturas semicondutoras: barreira e poços quânticos submetidos a campos elétricos DC usando o Hamiltoniano de Rashba e Dresselhaus na aproximação de massa efetiva do modelo k · p. O método utilizado para calcular a estrutura eletrônica em poços quânticos é o da potência inversa baseado na técnica de diferenças finitas. A equação de Schroedinger dependente do tempo é resolvida numericamente
utilizando o operador evolução temporal dentro do esquema implícito de Cranck-Nicholson. Calculamos deslocamentos médios e probabilidade de transmissão de spins polarizados, bem como suas respectivas polarizações.. |