Os semicondutores SnX2 (onde X = Se, S, Te) têm sido muito estudados nos últimos anos devido às variedades de aplicações para dispositivos eletrônicos, ópticos e optoeletrônicos, além de serem materiais de baixa toxicidade, baixo custo, possuir estrutura em camadas e ter a possibilidade de regular o gap óptico de energia a partir da modificação da proporção de estequiometria do material. Neste cenário este trabalho produziu uma solução sólida nanoestruturada Sn(Se1−xSx) para x = 0, 0,24, 0,5, 0,76 e 1 utilizando a técnica Mecano-Síntese. As amostras foram investigadas utilizando as técnicas de Difração de Raios X, Método de Rietveld, Calorimetria Diferencial de Varredura e Espectrometria Ultra Violeta e Visível onde foi possível constatar que as amostras se formaram com uma estrutura ortorrômbica com microdeformação anisotrópica de 4,9% em média, e verificar que os picos do difratograma se deslocam para a direita á medida que substituímos gradativamente selênio por enxofre na solução. As amostras se mostraram estáveis para temperaturas de até 200ºC e se desintegram para temperaturas acima de 600ºC. Também foram observados gaps ópticos de energia diretos e indiretos que mostraram valores diferentes da literatura e podem estar ligados ao método utilizado para obter a absorção de energia em que se utilizou a água como solvente
para solubilizar com a amostra. Os valores obtidos do gap óptico de energia variam de 0,67 a 4,0 eV para o gap indireto e 4,1 a 5,4 eV para o gap direto.
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