Dissertação

Caracterização Estrutural e Óptica da Solução Sólida Nanoestruturada Sn(Se1-xSx) com x = 0, 0,24, 0,5, 0,76 e 1 produzida por Mecano-Síntese

Os semicondutores SnX2 (onde X = Se, S, Te) têm sido muito estudados nos últimos anos devido às variedades de aplicações para dispositivos eletrônicos, ópticos e optoeletrônicos, além de serem materiais de baixa toxicidade, baixo custo, possuir estrutura em camadas e ter a possibilidade de regular o...

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Autor principal: Arenillas, Nahuel Oliveira
Outros Autores: http://lattes.cnpq.br/0592767434323544
Grau: Dissertação
Idioma: por
Publicado em: Universidade Federal do Amazonas 2020
Assuntos:
Acesso em linha: https://tede.ufam.edu.br/handle/tede/7755
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spelling oai:https:--tede.ufam.edu.br-handle-:tede-77552020-04-02T05:03:42Z Caracterização Estrutural e Óptica da Solução Sólida Nanoestruturada Sn(Se1-xSx) com x = 0, 0,24, 0,5, 0,76 e 1 produzida por Mecano-Síntese Arenillas, Nahuel Oliveira Trichês, Daniela Menegon http://lattes.cnpq.br/0592767434323544 http://lattes.cnpq.br/8037054732461325 Frota, Hidembergue Ordozgoith da http://lattes.cnpq.br/5700103079488064 Borges, Zeane Vieira http://lattes.cnpq.br/5106007809080224 Método de Rietveld Raios X - Difração Espectrometria UV Semicondutores SnX2 Estequiometria CIÊNCIAS EXATAS E DA TERRA: FÍSICA Materiais Termoelétricos Mecano-Síntese Difração de Raios X Método de Rietveld Espectrometria Ultra Violeta e Visível Os semicondutores SnX2 (onde X = Se, S, Te) têm sido muito estudados nos últimos anos devido às variedades de aplicações para dispositivos eletrônicos, ópticos e optoeletrônicos, além de serem materiais de baixa toxicidade, baixo custo, possuir estrutura em camadas e ter a possibilidade de regular o gap óptico de energia a partir da modificação da proporção de estequiometria do material. Neste cenário este trabalho produziu uma solução sólida nanoestruturada Sn(Se1−xSx) para x = 0, 0,24, 0,5, 0,76 e 1 utilizando a técnica Mecano-Síntese. As amostras foram investigadas utilizando as técnicas de Difração de Raios X, Método de Rietveld, Calorimetria Diferencial de Varredura e Espectrometria Ultra Violeta e Visível onde foi possível constatar que as amostras se formaram com uma estrutura ortorrômbica com microdeformação anisotrópica de 4,9% em média, e verificar que os picos do difratograma se deslocam para a direita á medida que substituímos gradativamente selênio por enxofre na solução. As amostras se mostraram estáveis para temperaturas de até 200ºC e se desintegram para temperaturas acima de 600ºC. Também foram observados gaps ópticos de energia diretos e indiretos que mostraram valores diferentes da literatura e podem estar ligados ao método utilizado para obter a absorção de energia em que se utilizou a água como solvente para solubilizar com a amostra. Os valores obtidos do gap óptico de energia variam de 0,67 a 4,0 eV para o gap indireto e 4,1 a 5,4 eV para o gap direto. SnX2 semiconductors (where X = Se, S, Te) have been extensively studied in recent years due to the variety of applications for electronic, optical and optoelectronic devices, as well as being a material of low toxicity, low cost, own layered structure and having the possibility to regulate the optical energy gap by modifying the proportion of the material stoichiometry. In this context, this study had produced a nanostructured solid solution Sn(Se1−xSx) to x = 0, 0,24, 0,5, 0,76 and 1 using the Mecano-Synthesis technique. The samples were investigated using X ray Diffraction, Rietveld Method, Differential Scanning Calorimetry and Ultraviolet-visible Spectrophotometry techniques which demonstrated that samples were formed with an orthorhombic structure with anisotropic microdeformation of 4,9% on average. It was also possible to verify that the diffractogram peaks shift to the right as we gradually replace selenium with sulfur into the solution. The samples kept stable at temperatures up to 200ºC and they disintegrated at temperatures above 600ºC. Direct and indirect energy optical gaps were also observed from samples that showed different values from the literature and may be linked to two main factors: 1) the method used to obtain the energy absorption in which water was used as a solvent to solubilize with the sample and 2) mass concentration of samples in solvent. The values gained from the optical energy gap range from 0,67 to 4,0 eV for indirect gap and 4,1 to 5,4 eV for direct gap. Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - CNPq 2020-04-02T01:34:02Z 2020-01-14 Dissertação ARENILLAS, Nahuel Oliveira. Caracterização Estrutural e Óptica da Solução Sólida Nanoestruturada Sn (Se1-xSx) com x = 0, 0,24, 0,5, 0,76 e 1 produzida por Mecano-Síntese. 2020. 102 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Amazonas, Manaus, 2020. https://tede.ufam.edu.br/handle/tede/7755 por Acesso Aberto http://creativecommons.org/licenses/by-nd/4.0/ application/pdf Universidade Federal do Amazonas Instituto de Ciências Exatas Brasil UFAM Programa de Pós-graduação em Física
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description Os semicondutores SnX2 (onde X = Se, S, Te) têm sido muito estudados nos últimos anos devido às variedades de aplicações para dispositivos eletrônicos, ópticos e optoeletrônicos, além de serem materiais de baixa toxicidade, baixo custo, possuir estrutura em camadas e ter a possibilidade de regular o gap óptico de energia a partir da modificação da proporção de estequiometria do material. Neste cenário este trabalho produziu uma solução sólida nanoestruturada Sn(Se1−xSx) para x = 0, 0,24, 0,5, 0,76 e 1 utilizando a técnica Mecano-Síntese. As amostras foram investigadas utilizando as técnicas de Difração de Raios X, Método de Rietveld, Calorimetria Diferencial de Varredura e Espectrometria Ultra Violeta e Visível onde foi possível constatar que as amostras se formaram com uma estrutura ortorrômbica com microdeformação anisotrópica de 4,9% em média, e verificar que os picos do difratograma se deslocam para a direita á medida que substituímos gradativamente selênio por enxofre na solução. As amostras se mostraram estáveis para temperaturas de até 200ºC e se desintegram para temperaturas acima de 600ºC. Também foram observados gaps ópticos de energia diretos e indiretos que mostraram valores diferentes da literatura e podem estar ligados ao método utilizado para obter a absorção de energia em que se utilizou a água como solvente para solubilizar com a amostra. Os valores obtidos do gap óptico de energia variam de 0,67 a 4,0 eV para o gap indireto e 4,1 a 5,4 eV para o gap direto.
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