Propriedades ópticas de poços quânticos quadrados duplos de AIGaAs em função da temperatura
With the growth and improvement of techniques for growth of semiconductor heterostructures has enabled the manufacture of new devices mainly on nanotechnology. In this work we present the results of our investigations and characterization through photoluminescence spectroscopy technique in three (...
| Autor principal: | Moraes, Sérgio Sampaio de |
|---|---|
| Grau: | Dissertação |
| Idioma: | por |
| Publicado em: |
Universidade Federal de Roraima
2018
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| Assuntos: | |
| Acesso em linha: |
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oai:repositorio.ufrr.br:prefix-262024-10-21T12:43:47Z Propriedades ópticas de poços quânticos quadrados duplos de AIGaAs em função da temperatura Moraes, Sérgio Sampaio de Sergio, Cássio Sanguini http://lattes.cnpq.br/5189044268925973 Semicondutores Poços quânticos Fotoluminescência Éxciton Semiconductors Quantum wells Photoluminescence CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA With the growth and improvement of techniques for growth of semiconductor heterostructures has enabled the manufacture of new devices mainly on nanotechnology. In this work we present the results of our investigations and characterization through photoluminescence spectroscopy technique in three (03) samples of consisti Square Double Quantum Wells to be designated by DQW s of AlGaAs/AlAs different percentage of aluminum in the wells quantum. The samples were grown on GaAs substrate by Molecular Beam Technique Epitaxe from English MBE (Molecular Beam Epitaxy). The material of the central barrier consists of the same material as side barriers. The experimental data excitonic transition energy, obtained by analyzing the peak photoluminescence (PL) and the behavior as a function of temperature in the range of 6 K to 300K with excitation power of 100 mW using the proposed model Varshni . The results obtained through the energy spectra of the wells show that the emission properties of heterostructures are strongly dependent on the procedure used during the deposition of the layers, especially during the exchange between the sources of the elements that make up the material. The effects of confinement and varying the concentration of Al that was present in Quantum Wells were analyzed. Neste trabalho apresentaremos os resultado de nossas investigações e caracterização através da técnica de Espectroscopia de Fotoluminescência em 03 (três) amostras que consiste de Poços Quânticos Quadrados Duplos que serão designados por essa abreviação DQW s de AlGaAs/AlAs de diferentes percentual de alumínio nos poços quânticos. As amostras foram crescidas em substrato de GaAs pela Técnica Epitaxe de Feixe Molecular M BE do Inglês (Molecular Beam Epitaxy). O material da barreira central é constituído do mesmo material das barreiras laterais. Os dados experimentais de energia de transição excitônica, analisamos os picos obtidos através de Fotoluminescência (PL) e o comportamento em função da temperatura no intervalo de 6K a 300 K com potência de excitação de 100mW utilizando o modelo proposto do Varshni. Os resultados adquiridos através dos espectros de energia dos poços mostram que as propriedades de emissão das heteroestruturas são profundamente dependentes do procedimento adotado durante a deposição das camadas, principalmente durante a troca entre as fontes dos elementos que formam os materiais. Foram analisados os efeitos de confinamento e da variação da concentração de Al que estava presente nos Poços Quânticos. Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior 2018-05-08T15:08:43Z 2018-05-08T15:08:43Z 2014 Dissertação MORAES, Sérgio Sampaio de.Propriedades ópticas de poços quânticos quadrados duplos de AIGaAs em função da temperatura. 2014. 49f. Dissertação (Mestrado em Física) - Programa de Pós-Graduação em Física, Universidade Federal de Roraima, Boa Vista, 2014. http://repositorio.ufrr.br:8080/jspui/handle/prefix/26 por Acesso Aberto Attribution-NonCommercial-ShareAlike 3.0 Brazil http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/3.0/br/ Universidade Federal de Roraima Brasil PRPPG - Pró-Reitoria de Pesquisa e Pós-Graduação PPGFIS - Programa de Pós-Graduação em Física UFRR |
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Repositório Institucional - Universidade Federa de Roraima - UFRR |
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With the growth and improvement of techniques for growth of semiconductor heterostructures has enabled the manufacture of new devices mainly on nanotechnology. In this work we present the results of our investigations and characterization through photoluminescence spectroscopy technique
in three (03) samples of consisti Square Double Quantum Wells to be designated by DQW s of AlGaAs/AlAs different percentage of aluminum in the wells quantum. The samples were grown on GaAs substrate by Molecular Beam Technique Epitaxe from English MBE (Molecular Beam Epitaxy). The
material of the central barrier consists of the same material as side barriers. The experimental data excitonic transition energy, obtained by analyzing the peak photoluminescence (PL) and the behavior as a function of temperature in the range of 6 K to 300K with excitation power of 100 mW using the proposed model Varshni . The results obtained through the energy spectra of the wells show that the emission properties of heterostructures are strongly
dependent on the procedure used during the deposition of the layers, especially during the exchange between the sources of the elements that make up the material. The effects of confinement and varying the concentration of Al that was present in Quantum Wells were analyzed. |
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