Relatório de Pesquisa

Estudo teórico das propriedades opto-eletrônicas de junções p-i-n injetoras de spin

O objetivo deste trabalho é desenvolver estruturas semicondutoras injetoras de correntes spin-polarizadas. Para atingir este objetivo iremos explorar as propriedades de Afinidade Eletrônica Negativa (AEN) na interface Metal-GaAs de forma a realçar a interface ferromagnética-semicondutor (junção Scho...

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Autor principal: Carlos Eduardo de Almeida Brito
Grau: Relatório de Pesquisa
Idioma: pt_BR
Publicado em: Universidade Federal do Amazonas 2016
Assuntos:
Acesso em linha: http://riu.ufam.edu.br/handle/prefix/2562
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spelling oai:localhost:prefix-25622025-03-10T20:07:45Z Estudo teórico das propriedades opto-eletrônicas de junções p-i-n injetoras de spin Carlos Eduardo de Almeida Brito Eduardo Adriano Cotta Junções P-i-N Exciton Efeito Stark CIÊNCIAS EXATAS E DA TERRA: FÍSICA O objetivo deste trabalho é desenvolver estruturas semicondutoras injetoras de correntes spin-polarizadas. Para atingir este objetivo iremos explorar as propriedades de Afinidade Eletrônica Negativa (AEN) na interface Metal-GaAs de forma a realçar a interface ferromagnética-semicondutor (junção Schottky) aumentando o grau de polarização de spin. O grau de polarização de spin é identificado pela emissão circularmente polarizada da junção p-i-n . Inicialmente será analisada uma amostra constituída de GaAs (100) dopada com Carbono contendo um poço quântico de GaAs de 100Å crescida por MBE (Epitaxia de Feixe Molecular). Este primeiro diodo receberá um contato não-magnético tradicional de In e InZn, na qual serão realizadas medidas das propriedades elétricas e opto-eletrônicas desta estrutura. Um algoritmo computacional será desenvolvido para compararmos os resultados teóricos dos experimentais. CNPQ 2016-09-23T15:20:19Z 2016-09-23T15:20:19Z 2012-07-31 Relatório de Pesquisa http://riu.ufam.edu.br/handle/prefix/2562 pt_BR Acesso Aberto PDF Universidade Federal do Amazonas Brasil Física Instituto de Ciências Exatas PROGRAMA PIBIC 2011 UFAM
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